4月16日，三星宣布完成5nm FinFET工艺开发，台积电则推出了6nm（N6）工艺，都将利用EUV光刻，在2020年开始投产。
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据悉，国科发布的GK2302系列芯片采用高速SATA 6Gbps接口，读写速度达到500MB/s。容量 支持4TB。相比上一代产品，GK2302的性能15%，功耗降低6.5%，全硬盘性能18.4%，将为客户提供高性能、高、高可靠的存储解决方案。
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考虑到市场和内部情况，三星将分阶段披露其投资计划。其中，首先宣布的是将于明年在京畿道华城校区完成的极紫外线（EUV）投资计划。 EUV是下一代半导体工艺技术，每台EUV设备价格超过2000亿韩元（1.7521亿美元）。全线运营需要超过30万亿韩元（262.8亿美元）。
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